Modélisation et optimisation des performances des cellules solaires HIT à base de silicium / Sofiane Houari Barka

Public ISBD Titre : Modélisation et optimisation des performances des cellules solaires HIT à base de silicium Type de document : texte manuscrit Auteurs : Sofiane Houari Barka, Auteur ; Noureddine Benchaa Boukhar, Auteur ; Abdelhafid Mouhoub, Directeur de thèse Editeur : Laghouat : Université Amar Telidji - Département d'électronique Année de publication : 2022 Importance : 66p. Note générale : OPTION : Instrumentation Langues : Français (fre) Résumé : Dans ce travail nous avons étudié les caractéristiques électriques d’une cellule solaire destructure HIT ("Heterojunction with Intrinsic Layer") sont constituées d'un substrat de siliciumcristallin (c-Si) d'épaisseur comprise entre 100 et 300 μm, et d'une fine couche desilicium amorphe (a-Si:H) jouant le rôle d'émetteur en face avant et de champ de surface arrière(BSF), et une couche de a-Si:H non dopé entre le substrat et l'émetteur. En vue d'améliorer les performances de ces, une optimisation par simulation à l’aide du logiciel SCAPS. Cette optimisationnous permet de donné les différents paramètres des matériaux qui correspondent au rendementmaximal de la cellule. Les résultats de la simulation obtenus ont montré que : Les performances des cellules sont meilleures pour des couches de c-Si(n) plus conductrices. L’effetde la concentration des défauts est similaire sur les différentes cellules solaires simulées, doit êtrefaible. La couche Si:H(i) a pour rôle de diminuer le taux de recombinaison à l’interface a-Si:H/c-Si parune passivation efficace de la surface de la base. Les résultats de la simulation obtenus ont montréque : le rendement de conversion des cellules HIT à 25.56% en misant sur les paramètres optimaux àsavoir :un émetteur ayant un gap de 1,75 eV et une épaisseur de 0.01μm dopé à2. 10 note de thèses : memoire de master Modélisation et optimisation des performances des cellules solaires HIT à base de silicium [texte manuscrit] / Sofiane Houari Barka, Auteur ; Noureddine Benchaa Boukhar, Auteur ; Abdelhafid Mouhoub, Directeur de thèse . - Laghouat : Université Amar Telidji - Département d'électronique, 2022 . - 66p. OPTION : Instrumentation Langues : Français (fre) Résumé : Dans ce travail nous avons étudié les caractéristiques électriques d’une cellule solaire destructure HIT ("Heterojunction with Intrinsic Layer") sont constituées d'un substrat de siliciumcristallin (c-Si) d'épaisseur comprise entre 100 et 300 μm, et d'une fine couche desilicium amorphe (a-Si:H) jouant le rôle d'émetteur en face avant et de champ de surface arrière(BSF), et une couche de a-Si:H non dopé entre le substrat et l'émetteur. En vue d'améliorer les performances de ces, une optimisation par simulation à l’aide du logiciel SCAPS. Cette optimisationnous permet de donné les différents paramètres des matériaux qui correspondent au rendementmaximal de la cellule. Les résultats de la simulation obtenus ont montré que : Les performances des cellules sont meilleures pour des couches de c-Si(n) plus conductrices. L’effetde la concentration des défauts est similaire sur les différentes cellules solaires simulées, doit êtrefaible. La couche Si:H(i) a pour rôle de diminuer le taux de recombinaison à l’interface a-Si:H/c-Si parune passivation efficace de la surface de la base. Les résultats de la simulation obtenus ont montréque : le rendement de conversion des cellules HIT à 25.56% en misant sur les paramètres optimaux àsavoir :un émetteur ayant un gap de 1,75 eV et une épaisseur de 0.01μm dopé à2. 10 note de thèses : memoire de master

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