Modélisation du procédé CVD du Si1-xGex et de la croissance de monocristaux de SiC par une approche couplée thermodynamique transport de matière / J.M. Dedulle in Récents progrés en génie des procédés, VOL 10 N° 49 ([23/10/1996])

Public ISBD [article]  inRécents progrés en génie des procédés > VOL 10 N° 49 [23/10/1996] . - p. 321 Titre : Modélisation du procédé CVD du Si1-xGex et de la croissance de monocristaux de SiC par une approche couplée thermodynamique transport de matière Type de document : texte imprimé Auteurs : J.M. Dedulle, Auteur ; H. Rouch, Auteur Année de publication : 1996 Article en page(s) : p. 321 Langues : Français (fre) [article] Modélisation du procédé CVD du Si1-xGex et de la croissance de monocristaux de SiC par une approche couplée thermodynamique transport de matière [texte imprimé] / J.M. Dedulle, Auteur ; H. Rouch, Auteur . - 1996 . - p. 321. Langues : Français (fre) in Récents progrés en génie des procédés > VOL 10 N° 49 [23/10/1996] . - p. 321

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