thermal behavior using analytical and numerical model in multi-finger power heterojunction bipolar transistors / R. Hocine in Technologies avancées, 14 ([01/07/2002])

Public ISBD [article]  inTechnologies avancées > 14 [01/07/2002] . - P17-21 Titre : thermal behavior using analytical and numerical model in multi-finger power heterojunction bipolar transistors Type de document : texte imprimé Auteurs : R. Hocine, Auteur ; M. A. Boudghene-Stammbouli, Auteur Année de publication : 2002 Article en page(s) : P17-21 Langues : Français (fre) [article] thermal behavior using analytical and numerical model in multi-finger power heterojunction bipolar transistors [texte imprimé] / R. Hocine, Auteur ; M. A. Boudghene-Stammbouli, Auteur . - 2002 . - P17-21. Langues : Français (fre) in Technologies avancées > 14 [01/07/2002] . - P17-21

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