Observation of deep level in sic n+ p- p+ diode with an n-implanted n+emitter / GHAFFOUR K.,RAYNAUD C. ,GUILLOT G. in Technologies avancées, 11 ([01/07/1999])

Public ISBD [article]  inTechnologies avancées > 11 [01/07/1999] . - P55 Titre : Observation of deep level in sic n+ p- p+ diode with an n-implanted n+emitter Type de document : texte imprimé Auteurs : GHAFFOUR K.,RAYNAUD C. ,GUILLOT G., Auteur Année de publication : 1999 Article en page(s) : P55 Langues : Anglais (eng) [article] Observation of deep level in sic n+ p- p+ diode with an n-implanted n+emitter [texte imprimé] / GHAFFOUR K.,RAYNAUD C. ,GUILLOT G., Auteur . - 1999 . - P55. Langues : Anglais (eng) in Technologies avancées > 11 [01/07/1999] . - P55

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