Titre :	Modélisation du transistor bipolaire intégré
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Philippe Cazenave, Auteur
Editeur :	Paris : Hermès Science Publications
Année de publication :	2004,2005
Collection :	Traité EGEM. Série électronique et micro-électronique
Importance :	2 vol (335,234 p)
Présentation :	ill., couv. ill.
Format :	24 cm
Langues :	Français (fre)
Catégories :	GENIE ELECTRIQUE:621.1 Eléctronique
Mots-clés :	Transistors bipolaires  Technologie silicium sur isolant

Modélisation du transistor bipolaire intégré [texte imprimé] / Philippe Cazenave, Auteur . - Paris : Hermès Science Publications, 2004,2005 . - 2 vol (335,234 p) : ill., couv. ill. ; 24 cm. - (Traité EGEM. Série électronique et micro-électronique) .
Langues : Français (fre)

Catégories :	GENIE ELECTRIQUE:621.1 Eléctronique
Mots-clés :	Transistors bipolaires  Technologie silicium sur isolant