Analyse et modelisation du depot de silicium amorphe Hydrogene par pecvd / A. Djelloul in Récents progrés en génie des procédés, VOL 9 N° 42 ([21/09/1995])

Public ISBD [article]  inRécents progrés en génie des procédés > VOL 9 N° 42 [21/09/1995] . - p. 237 Titre : Analyse et modelisation du depot de silicium amorphe Hydrogene par pecvd Type de document : texte imprimé Auteurs : A. Djelloul, Auteur ; P. Duverneuil, Auteur Année de publication : 1995 Article en page(s) : p. 237 Langues : Français (fre) [article] Analyse et modelisation du depot de silicium amorphe Hydrogene par pecvd [texte imprimé] / A. Djelloul, Auteur ; P. Duverneuil, Auteur . - 1995 . - p. 237. Langues : Français (fre) in Récents progrés en génie des procédés > VOL 9 N° 42 [21/09/1995] . - p. 237

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